東京大学の研究グループは9日、半導体シリコンの熱放射を倍増させる技術を開発した。 高性能半導体デバイスにおいては、局所的な発熱により性能や信頼性が低下してしまうことが問題となっている。しかし研究グループでは、シリコン膜の表面をわずかに酸化させるだけで ...
シリコン内を伝搬した表面フォノンポラリトンは、側面から面内方面に放射され輻射熱輸送を増強することがわかっている。つまり、今回の研究により、これまでに知られていた単一薄膜からの熱輸送とは異なるメカニズムの輻射熱輸送の増強を引き起こすことが明らかにされた ...
東大発半導体設計スタートアップPremo、独自のワイヤレス接続技術Dualibusを用いた商用試作CPUチップを完成 完成した3.5mm角の試作CPUチップ ...
シリコン膜の表面を酸化させると熱放射を増やせることが分かった(出所:東京大学)東京大学などの研究グループは、シリコン(Si)膜の表面をわずかに酸化させるだけで、プランクの熱放射則で決まるとされていた熱放射を倍増させることに成功した。熱放射の増強に表面フォノンポラリトンが寄与したことを理論計算によって明らかにした。排熱を課題とする電子機器の熱管理などへの応用が期待できる。フランスNational C ...
本開発は、沸騰冷却方式の課題を解決し、車載用途を含めて広範囲に適用可能な、より大きな熱流束に対応できる ... SiC半導体によるインバータ ※5 の冷却が可能な性能を保持しており、高発熱密度化する車載用のパワー半導体の熱集中問題を解消する技術 ...
今年3月、米国の半導体メーカーであるエヌビディアが、世界で第3位に浮上した。生成AIサービスの普及に伴い、半導体の需要が高まっているためだ。日本では昨年12月、経済産業省が、京都府の電子部品メーカーであるロームと東芝デバイス&ストレ ...
この頃、半導体にマンガン(Mn)を加えることにより強磁性半導体ができることが分かり、一気に注目されるようになった。しかしファムが取り組み始めた2010年には、技術的、理論的 ... そこで3つの問題点をすべて解決するための設計論を考え、研究を開始 ...
日本が世界の半導体投資の要になりそうな「地の利」も重要である。半導体技術のブレークスルーがこれまでの前工程でのウェハーの平面微細化 ...
6月24日、茨城県のつくば市に施設を構える産業技術 ... 半導体材料メーカーの計約20社がパートナー企業として参画する。TSMC以外は産総研、東京 ...
人がモビリティ ... 特有の顧客課題の解決に挑んでいく姿勢を強調する。 ちなみに、すでに2023年のある展示会で半導体デバイスではなく、開発 ...
日本テキサス・インスツルメンツ(本社:東京都港区、社長:ルーク リー、略称:日本TI)は、テキサス・インスツルメンツの子会社で日本市場における外資系半導体サプライヤです。当社に関する詳細はホームページ( ...
界面の欠陥低減技術開発でSiCパワー半導体 ... することが重要であることを見出した。 ② ①により高品質なSiC表面を形成した後に、SiCの酸化により酸化膜(SiO 2 膜)を形成すると、新たに高密度の欠陥が発生することを確認した。この問題を解決するため ...